
光刻机(MaskAligner)又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等。常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫MaskAlignmentSystem。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序。光刻设备从光源(从最初的g-Line、i-Line发展到极紫外EUV)、曝光方式(从接触式到步进式,从干式投影到浸没式投影)不断进行着改进。目前光刻机主要可以分为主流IC前道制造光刻机、IC后道先进封装光刻机、LED/MEMS/Power Devices制造用光刻机以及面板光刻机。ASML、佳能以及尼康是光刻机主要供应商,其中ASML在高端市场一家独大并且垄断EUV光刻机。从光刻机总体出货量来看(含非IC前道光刻机),目前全球光刻机出货量99%集中在ASML、尼康和佳能。其中ASML份额最高,达到67.3%,且垄断了高端EUV光刻机市场。ASML技术先进离不开高投入,其研发费用率始终维持在15%-20%,远高于Nikon和Canon。上海微电子是国内光刻机领军者,其IC前道光刻机可以实现90nm制程,未来有望逐步实现技术突破。受益于下游需求旺盛,光刻设备有望量价齐升带动市场空间不断增长。价:随着芯片制程的不断升级,IC前道光刻机制造日益复杂,其价格不断攀升。先进制程发展使得晶体管成本降低,但是光刻机价格不断增高。目前7nm EUV光刻机平均每台价格达到了1.2亿欧元。量:晶圆尺寸变大和制程缩小将使产线所需的设备数量加大,性能要求变高。12寸晶圆产线中所需的光刻机数量相较于8寸晶圆产线将进一步上升。同时预计2020年随着半导体产线得到持续扩产,光刻机需求也将进一步加大。
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